特許

J-GLOBAL ID：200903044983191609

真空処理装置のクリーニング方法

発明者： 小川 博
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124890
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319586
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】ドライエッチング処理装置のメンテナンス時間を削減し半導体装置の不良率を低下させる。【構成】酸素を含むガスとフッ素を含むガスと塩素を含むガスの混合ガスを希ガスで希釈して処理室内に導入しそのプラズマを発生させて、処理室内に付着している残留反応生成物Alx Cy Clz (アルミニウム炭素塩化物)を除去する。

請求項（抜粋）：

処理室内で塩素系ガスを用いて半導体基板上に形成されたアルミニウムを含む膜のドライエッチング等の処理を行った後、酸素を含むガスとフッ素を含むガス及び塩素を含むガスとの混合ガスを前記処理室内に導入し、その処理室内に混合ガスプラズマを発生させて前記処理室内の残留反応生成物を除去することを特徴とする真空処理装置のクリーニング方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

C23F 4/00 E ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-138472