特許
J-GLOBAL ID：200903044992041024
ガス・デポジション法によるスパッター用ターゲットの製造方法およびその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318566
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158306
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 ターゲットを構成する複数元素をサブミクロンオーダーでの組成の均一化、サブミクロンサイズの緻密な組織、平滑な表面、固定板との強固な接合を有するターゲットのターゲット固定板上への製造方法と、それに用いる製造装置。【構成】 ガス・デポジション法によりターゲット固定板上にターゲットの組成の超微粒子を堆積して、堆積部内部が緻密で、組成が均一で、平滑な表面を有するターゲットを固定板上に直接形成する製造方法。ターゲット固定板上にターゲットを構成する複数元素の超微粒子生成室と、該生成室より超微粒子をキャリアガスと共に搬送する搬送管と、超微粒子とキャリアガスを固定板上に噴出し、堆積するノズルと、超微粒子の堆積したターゲットを形成するターゲット形成室とから成る製造装置。
請求項（抜粋）：
スパッターに使用されるターゲットであって、ガス・デポジション法によりターゲット固定板上に直接ターゲットの組成の超微粒子を堆積し、固定板上に堆積部内部が緻密で、組成比が均一で、表面が平滑なターゲットを形成することを特徴とするガス・デポジション法によるスパッター用ターゲットの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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