特許
J-GLOBAL ID：200903044994013613

歪センサ、その製造方法および歪検出方法

発明者：
松原 秀彰

松原 秀彰 について

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奥原 芳樹

奥原 芳樹 について

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山中 武生

山中 武生 について

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杉田 稔

杉田 稔 について

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柴 慶治

柴 慶治 について


出願人/特許権者：
財団法人ファインセラミックスセンター

財団法人ファインセラミックスセンター について

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株式会社大崎総合研究所

株式会社大崎総合研究所 について

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清水建設株式会社

清水建設株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-155261
公開番号（公開出願番号）：特開2005-337819
出願日： 2004年05月25日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】必要とされる歪領域において構造体に作用した歪の最大値を計測可能とする歪センサを提供する。【解決手段】歪センサ2において、一定の方向性を持って配置される絶縁性繊維12と、有機高分子材料を熱処理して得られ少なくとも前記絶縁性繊維に沿う有機質相10と、該有機質相10を少なくとも一部に有する導体相14と、を備えるようにする。有機高分子材料を熱処理して得られる有機質相10を有することで、極めて低い歪領域から導電性前記導体の導電性変化を示すとともに、その導電性変化量が作用する最大歪に応じて残留する現象を発現させ、高い抵抗残留率を達成するものとした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
歪センサであって、 一定の方向性を持って配置される絶縁性繊維と、 少なくとも前記絶縁性繊維に沿う、有機高分子材料を熱処理して得られる有機質相と、 該有機質相を少なくとも一部に備える導体相と、 を備える、歪センサ。
IPC (2件)：
G01B7/16 ,  G01N3/06
FI (2件)：
G01B7/18 G ,  G01N3/06
Fターム (21件)：
2F063AA25 ,  2F063BA14 ,  2F063BD11 ,  2F063DA02 ,  2F063DA05 ,  2F063DC08 ,  2F063DD02 ,  2F063EC02 ,  2F063EC03 ,  2F063EC07 ,  2F063EC14 ,  2F063EC26 ,  2F063KA01 ,  2G061AA01 ,  2G061AA02 ,  2G061AB01 ,  2G061CA01 ,  2G061CA08 ,  2G061DA19 ,  2G061EA04 ,  2G061EB03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (11件)
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