半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-307319
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231113
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】シリコン半導体基板中に、シリコン層/ゲルマニウム・シリコン混晶層よりなる、光受信器を安定に形成することと光吸収効率を上げることを目的とする。【構成】シリコン基板中に形成された少なくとも側壁がシリコン酸化膜より成る溝4に囲まれた領域内に、選択的にP型シリコン層6とSi/Gex Si1-x超格子層7とP+ 型シリコン層8を選択的に低温で成長する。これにより超格子層の側面でのリークを低減することが可能となる。さらに溝4内に金属膜を埋込むことにより、超格子層の側面での光損失を最小限に抑制することが可能となる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のシリコン基板、第2導電型の埋込層および第2導電型のシリコン層を形成する工程と、少なくとも前記第2導電型のシリコン層に、側壁がシリコン酸化膜により覆われている第1の溝を形成する工程と、前記第1の溝に囲まれた前記第2導電型のシリコン層を所定の深さまで除去する工程と、露出した前記第2導電型のシリコン層あるいは前記第2導電型の埋込層上に、第1の第1導電型のシリコン層を選択的に形成する工程と、前記第1の第1導電型のシリコン層上に、シリコン層とゲルマニウム-シリコン混晶層とが交互に1回以上複数回成長したシリコン/ゲルマニウム・シリコン混晶層を形成する工程と、前記シリコン/ゲルマニウム・シリコン混晶層上に、第2の第1導電型のシリコン層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , H01L 21/203 , H01L 27/14 , H01L 31/0232

FI (3件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/14 Z , H01L 31/02 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭62-128183
特開平3-286567
特開昭63-009162

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