HF含有ガスの乾式処理装置及び処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-142822
公開番号（公開出願番号）：特開2004-344729
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】半導体や液晶製造工場から排出されるPFCを分解したとき等に生成するHF及びSOx含有排ガスを、乾式法により無害化処理する。【解決手段】HF及びSOxを含む排ガスを、SOx除去工程にて予めSOxを除去してから、固体のCa(OH)2 と接触させる。Ca(OH)2 充填塔101はメッシュ板102上にCa(OH)2 層110を保持したものとし、下部にHF含有ガスの導入口、上部にHFが除去されたガスの排出口を設ける。また、ガス排出口には充填塔内のガスを吸引排気するブロワ(またはエゼクタ)104を設ける。HF含有ガスにSOxが残留する場合には、Ca(OH)2 層の温度を100〜310°Cにすることが望ましい。本発明により、水を使用することなくHFを無害化処理できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

HF含有ガス中からHFを除去する装置であって、前記HF含有ガスを流通させるCa(OH)2 充填塔を有し、該充填塔は下部にHF含有ガスの導入口を有し、上部にHFが除去されたガスの排出口を有し、該排出口には前記充填塔内のガスを吸引排気するブロワまたはエゼクタが備えられ、前記充填塔内にはメッシュ板上に保持されたCa(OH)2 層を有することを特徴とするHF含有ガスの乾式処理装置。

IPC (4件)：

B01D53/68 , B01D53/34 , B01D53/50 , B01D53/81

FI (3件)：

B01D53/34 134C , B01D53/34 , B01D53/34 124Z

Fターム (17件)：

4D002AA02 , 4D002AA23 , 4D002AC04 , 4D002AC10 , 4D002BA03 , 4D002BA14 , 4D002CA07 , 4D002CA20 , 4D002DA05 , 4D002DA12 , 4D002EA02 , 4D002EA06 , 4D002GA01 , 4D002GA02 , 4D002GB02 , 4D002GB03 , 4D002GB12

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開昭62-152519
特開昭60-216832
過弗化物の処理方法及びその処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-323145 出願人：株式会社日立製作所, 日立エンジニアリング株式会社, 日立協和エンジニアリング株式会社

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