特許

J-GLOBAL ID：200903045006340040

エピタキシャルGaN層を基板上に施与する方法及び被覆された物品

発明者： フリッツ アルディンガー ,  フレッド ランゲ ,  マンフレート プーヒンガー ,  トーマス ヴァーグナー ,  ヨアヒム ビル ,  ディーター ローデヴァルト
出願人/特許権者： マツクス-プランク-ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウ
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-191017
公開番号（公開出願番号）：特開2001-031498
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャルGaN層を基板上に施与する方法【解決手段】 ガリウムカルボジイミドを含有する前駆体化合物を基板上に施与し、かつ熱分解により結晶のGaNに変える。

請求項（抜粋）：

エピタキシャルGaN層を基板上に施与する方法において、ガリウムカルボジイミドを含有する前駆体化合物を基板上に施与し、かつ熱分解により結晶のGaNに変えることを特徴とする、エピタキシャルGaN層を基板上に施与する方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C