窒化物半導体装置、ドハティ増幅器、ドレイン電圧制御増幅器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-226594
公開番号（公開出願番号）：特開2009-059945
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】大出力窒化物半導体装置において、動作効率を向上させ、ドリフトを抑制する。【解決手段】窒化物半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され、非ドープ窒化物半導体よりなる電子走行層と、前記電子走行層上にエピタキシャルに形成され前記非ドープ窒化物半導体よりも小さな電子親和力を有するn型窒化物半導体よりなる電子供給層と、を含む積層半導体構造と、前記積層半導体構造上にチャネル領域に対応して形成されたゲート電極と、前記積層半導体構造上、前記ゲート電極の第1の側および第2の側にオーミック接触して形成されたソースおよびドレイン電極と、を備え、前記積層半導体構造は、前記基板と電子走行層との間に、n型導電層と、Alを含むバリア層とを、順次エピタキシャルに形成した。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成され、非ドープ窒化物半導体よりなる電子走行層と、前記電子走行層上にエピタキシャルに形成され前記非ドープ窒化物半導体よりも小さな電子親和力を有するn型窒化物半導体よりなる電子供給層と、を含み前記電子走行層中、前記電子供給層との界面に沿って二次元電子ガスが形成された積層半導体構造と、前記積層半導体構造上にチャネル領域に対応して形成されたゲート電極と、前記積層半導体構造上、前記ゲート電極の第1の側および第2の側にオーミック接触して形成されたソースおよびドレイン電極と、を備えた窒化物半導体装置であって、前記積層半導体構造は、前記基板と電子走行層との間に、n型導電層と、Alを含むバリア層とを、順次エピタキシャルに形成したことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (26件)：

5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT10 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC11 , 5F102HC19

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056788 出願人：ソニー株式会社
カルシウムホスホペプチド複合体
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-538979 出願人：ザユニヴァーシティオブメルボルン, ザビクトリアンデァリーインダストリーオーソリティ
後面にドナーをドープしたヘテロ構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-500626 出願人：エルハルドコーン

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-005093 出願人：松下電器産業株式会社
窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-203676 出願人：日立電線株式会社
高効率多重搬送波性能のための線形電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-152960 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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