特許
J-GLOBAL ID：200903045013433460
圧力センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 紀男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058932
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226675
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体を用いた圧力センサにおいて、信頼性を向上し、かつ歩留りを向上させるようにする。【構成】 シリコン基板1上に金属配線層である酸化膜2を設け、かつ前記シリコン基板にガラス台座5を接合した半導体装置において、前記半導体装置に対してスクライブラインに沿ってガラス台座内にまでカットして保護膜4を付着した後、前記スクライブラインに沿ってガラスの台座の残余をカットするようにした。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に絶縁層である酸化膜と金属配線層を設け、かつ前記シリコン基板にガラス台座を接合した半導体装置において、前記半導体装置に対してスクライブラインに沿ってガラス台座内にまでカットして保護膜を付着した後、前記スクライブラインに沿ってガラスの台座の残余をカットすることを特徴とする圧力センサの製造方法。
IPC (2件)：
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