特許
J-GLOBAL ID:200903045014247342

光結合半導体装置および封止用樹脂組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 諸田 英二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-180689
公開番号(公開出願番号):特開平11-017073
出願日: 1997年06月20日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】【課題】 ?@光変換効率が高く、高感度化が可能であり、?A外乱光に対してデバイスの信頼性を確保できる光結合半導体装置と封止用樹脂組成物を提供する。【解決手段】 発光素子(1) と受光素子(2) とを電極リード(5,6) の一部に接続し、かつ光線透過性の樹脂(3) に発光素子と受光素子とが埋め込まれており、上記埋込み体(3) の外囲器を構成する樹脂封止体(4) を備えた光結合半導体装置において、樹脂封止体(4) が合成樹脂と無機質充填材からなるとともに、上記無機質充填材が酸化チタニウムで被覆した無機質充填材を含む光結合半導体装置であり、また合成樹脂と無機質充填材からなるとともに、上記無機質充填材が酸化チタニウムで被覆した無機質充填材を含む封止用樹脂組成物である。
請求項(抜粋):
発光素子と受光素子とを電極リードもしくは電極リード群の一部に接続し、かつ光線透過性の樹脂に発光素子と受光素子とが埋め込まれており、上記埋込み体もしくは上記埋込み体を含む各素子の外囲器を構成する樹脂封止体を備えた光結合半導体装置において、樹脂封止体が合成樹脂と無機質充填材からなるとともに、上記無機質充填材が酸化チタニウムで被覆した無機質充填材を含むことを特徴とする光結合半導体装置。
IPC (13件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/22 ,  C08K 3/34 ,  C08K 3/36 ,  C08K 9/02 ,  C08L 45/00 ,  C08L 63/00 ,  C08L 69/00 ,  C08L101/00 ,  C09C 3/06 ,  H01L 21/56 ,  H01L 31/12
FI (14件):
H01L 23/30 F ,  C08K 3/22 ,  C08K 3/34 ,  C08K 3/36 ,  C08K 9/02 ,  C08L 45/00 ,  C08L 63/00 C ,  C08L 63/00 B ,  C08L 69/00 ,  C08L101/00 ,  C09C 3/06 ,  H01L 21/56 J ,  H01L 31/12 A ,  H01L 23/30 R

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