絶縁膜形成用塗布液とそれを用いた半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178747
公開番号（公開出願番号）：特開2004-018778
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が1000Å以下であって、粒径の3σが平均粒径の20%以下である第一の微粒子と、平均粒径が1第一の微粒子の1/3以下で、粒径の3σが第二の微粒子の平均粒径の20%以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

含まれる微粒子の平均粒径が1000Å以下でかつ粒径の3σが平均粒径の20%以下であることを特徴とする絶縁膜形成用塗布液。

IPC (6件)：

C09D1/00 , C09D5/25 , C09D183/00 , H01L21/316 , H01L21/3205 , H01L21/768

FI (6件)：

C09D1/00 , C09D5/25 , C09D183/00 , H01L21/316 G , H01L21/90 Q , H01L21/88 M

Fターム (75件)：

4J035CA01 , 4J035CA022 , 4J035CA042 , 4J035CA05M , 4J035CA052 , 4J035CA06U , 4J035CA062 , 4J035CA162 , 4J035FB01 , 4J035FB05 , 4J035LA05 , 4J035LA07 , 4J035LB01 , 4J035LB20 , 4J038AA011 , 4J038HA441 , 4J038NA21 , 4J038PB09 , 4J038PC02 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033WW01 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX17 , 5F033XX23 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA04 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BC20 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

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