特許
J-GLOBAL ID：200903045031447100
半導体圧力センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311448
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162018
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 圧力検出が正確に行えるシリコン薄膜抵抗を用いたSOI構造の圧力センサを提供する。【構成】 シリコン基板1の一面にダイアフラム1aを形成し、該ダイアフラム1aの反対面側に順次第1絶縁膜2,シリコン層3,第2絶縁層4,フルブリッジ状の半導体歪みゲージ53a〜53d,第3絶縁層6を形成し、更に半導体歪みゲージ53a〜53dを第3絶縁層6が覆う部分には導電性のガード電極7を形成する。そして、ガード電極7とシリコン層3とは印加電源の例えば負極に接続し、半導体歪みゲージ53a〜53dを電気的シールドで覆い、正確な圧力検出を可能にする。
請求項（抜粋）：
第1絶縁膜を介して上下両面にシリコンウエハが貼り合せられて構成された貼合基板の一面側にダイアフラムが形成されてなる半導体圧力センサにおいて、前記貼合基板のダイアフラム形成面と反対面側のシリコンウエハ上に、第2絶縁膜を介して半導体歪みゲージをなすシリコン抵抗体が形成され、該シリコン抵抗体上に第3絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 1/22
, H01L 23/14
