特許
J-GLOBAL ID：200903045032108520
金属ゲート不揮発性メモリセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131372
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312744
出願日： 1998年04月24日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】アレー状に形成するのに適した金属ゲート不揮発性メモリセル、およびその種のメモリセルをMOS周辺トランジスタとともに形成する方法を提供する。【解決方法】金属ゲート不揮発性メモリセルの製造の際にシリコン基板の上に酸化物層を形成する。その酸化物層の上にフローティングゲートを形成する。次に、シリコン基板の中にソース領域およびドレーン領域を前記フローティングゲートの端部の少なくとも片方が前記ソース領域およびドレーン領域の一方の対応端部と目合せ状態になるように形成する。次に、高温焼きなまし工程を施して、前記ソース領域およびドレーン領域の中の欠陥を除去する。次に、酸化物-窒化物-酸化物-ポリシリコン(ONOP)結合誘電体または酸化物-ポリシリコン(OP)結合誘電体の複合層をフローティングゲートの上に形成する。最後に金属製の制御ゲートをONOP結合誘電体複合層またはOP結合誘電体複合層の上に形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板内にそれぞれ形成されチャンネル領域で互いに分離されているソース領域およびドレーン領域と、前記チャンネル領域をそのチャンネル領域から絶縁された状態で覆うフローティングゲートであって、その端部の少なくとも片方が前記ソース領域およびドレーン領域の一方の対応の端部と目合わせされその対応の端部を区画する作用をするフローティングゲートと、前記フローティングゲートをそのフローティングゲートから絶縁された状態で覆う金属製の制御ゲートとを含む不揮発性メモリセル。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
