特許

J-GLOBAL ID：200903045032707695

レジスト除去方法

発明者： 加瀬 雅
出願人/特許権者： 宮城沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345264
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168917
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子形成の工程で様々に変質したレジストを、下地膜等にダメージを与えず、しかも残渣を残さずに完全に剥離除去することができる、レジスト除去方法を提供することを目的とする。【構成】 上面にレジスト14を塗布した半導体基板11を所定温度に保持し、O2 とF系ガスの混合ガスを放電させて生成したプラズマによって、レジスト14をアッシング除去する。次いで前記工程で発生した残渣15を、酸洗浄によって除去する。アッシング処理にO2 と共にF系ガスの混合ガスを用いることで、ドライエッチング等で変質したレジスト14がアッシング除去される。しかもアッシング時に半導体基板11の温度を所定温度に保持することで、下地のSiO2 膜12へのダメージを抑えると共に、アッシングによる残渣15が、酸洗浄によって除去可能なものとなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のレジスト除去方法であって、(1)上面にレジストを塗布した半導体基板を所定温度に保持し、O2 とF系ガスの混合ガスを放電させて生成したプラズマによって、前記レジストをアッシング除去する第一工程と、(2)前記第一工程で発生した残渣を、酸洗浄によって除去する第二工程と、からなることを特徴とするレジスト除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341