特許
J-GLOBAL ID：200903045038588019
成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194862
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163518
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 温度分布を改善した支持台(サセプター)を有するCVD装置等の成膜装置を提供する。【構成】 半導体基板3を載置する支持台2と、半導体基板3を支持台2を介して加熱するための加熱装置1と、半導体基板3上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有し、支持台2が、少なくとも半導体基板3と接触する部分である接触部2aと、支持台2の外周にあって反応室側壁7に固定されている部分である固定部2bとに分割されており、好ましくは、接触部2aの材料には、熱伝導の良好な材料であるグラファイトを用い、固定部2bの材料には、熱伝導性の低い材料である石英やSUSを使う。
請求項（抜粋）：
半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されていることを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 16/46
, C30B 25/12
, H01L 21/205
