特許
J-GLOBAL ID：200903045041719400
半導体シリコン結晶の製造条件の決定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-267549
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073192
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：
【要約】【課題】Grown-in欠陥のないシリコン単結晶を製造するための条件を、電子計算機による計算で正確に決定する方法の提供。【解決手段】原子空孔濃度CVおよび格子間原子濃度CIの時間変化を表す式の、格子間原子の径方向拡散の項を補正した改良式を用い、融点より十分低いCVおよびCIがほぼ一定になる温度でのCV-CIの値を求め、このCV-CIの値が特定範囲内となる結晶内温度分布および育成速度を選定し、それに基づいて総合伝熱解析手法によりホットゾーンの構造および単結晶の冷却方法を決定する。
請求項（抜粋）：
半導体シリコン結晶の製造に際し、電子計算機を用いて製造条件を決定する方法であって、育成する単結晶内の融点近傍における格子間シリコン原子の径方向の拡散に関する項を、与えられた条件により定まる値よりも小さく限定した原子空孔濃度CVおよび格子間シリコン原子濃度CIの時間変化を表す式を用い、CVおよびCIがほぼ一定になる温度でのCV-CIの値を求め、そのCV-CIの値が特定範囲内となる結晶内温度分布および育成速度を選定し、それに基づいて総合伝熱解析手法によりホットゾーンの構造および単結晶の冷却方法を決定することを特徴とする半導体シリコン結晶の製造条件の決定方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
C30B 29/06 502 Z
, C30B 29/06 502 E
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH07
, 4G077EH10
, 4G077HA12
, 4G077PE01
, 4G077PF55
