特許
J-GLOBAL ID：200903045041892217
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006340
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195433
出願日： 1995年01月19日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】半導体素子に悪影響を与えない素子分離構造を得る。【構成】素子分離用トレンチ4の開口幅は、Wa ́である。基板電位設定用トレンチ5の開口幅は、Wb ́である。トレンチ4,5の側壁部でのポリシリコン膜8の最大の膜厚をtとした場合、Wa ́-2t<Wb ́-2t、Wa ́>2tを満たしている。シリコン酸化膜6は、トレンチ4の内面の全体を覆うが、トレンチ5の底部には形成されていない。トレンチ4内のポリシリコン膜8は、電気的にフローティング状態であり、トレンチ5内のポリシリコン膜8は、半導体基板1に接続されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、半導体素子を分離するために前記半導体基板に形成される第1トレンチと、前記半導体基板に電位を与えるために前記半導体基板に形成される第2トレンチと、前記第1トレンチの内面の全体を覆う第1絶縁膜と、前記第2トレンチの底面の一部を除く内面を覆う第2絶縁膜と、前記第1トレンチを満たす第1導電膜と、前記第2トレンチを満たし、前記半導体基板に接続される第2導電膜と、前記半導体基板上に形成される第3絶縁膜と、前記第2導電膜に接続される電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/76 S
