特許
J-GLOBAL ID：200903045042121737
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005672
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216243
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 素子分離溝を有する半導体レーザウエハの製造工程において、素子分離が可能であって、しかもウエハをガラス板からはずす時にウエハを割れにくくする。【構成】 ウエハ3をガラス板1からはずす時に素子分離溝5にNiメッキ8を設け、ウエハ3をガラス板1からはずした後に、Niメッキ8のみを選択的に除去してから素子分離を行う。
請求項（抜粋）：
複数の素子が形成されたウエハをガラス板から剥離した後、各素子に分離する工程を有する半導体装置の製造方法において、その一主面がガラス板に貼着されたウエハの他主面に劈開方向と直交する素子分離用溝を形成する工程と、上記ウエハ他主面の劈開領域及び上記素子分離用溝を除く領域に第1のウエハ補強用部材を形成する工程と、上記ウエハ他主面の劈開領域及び上記素子分離用溝に第2のウエハ補強用部材を形成する工程と、上記ウエハをガラス板から剥離した後、上記第2のウエハ補強用部材を選択的に除去し、ウエハを各素子に分離する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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