特許

J-GLOBAL ID：200903045045074918

画像認識による計測方法および装置

発明者： 大庭 力之典 ,  四方 博実
出願人/特許権者： 谷電機工業株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-368399
公開番号（公開出願番号）：特開2000-193432
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 安価でシンプルな機器構成により、高速にシリコンウェハバンプの2次元/3次元の同時計測を可能とする画像認識による計測装置を提供する。【解決手段】 レーザプロジェクタ等の投影装置2からレーザ光を投影し、ウェハ鏡面反射光と撮像装置2のカメラの光軸が平行になるように撮像装置3のカメラを設置し、ウェハ投影線とはんだ投影線を撮像可能にする。撮像装置3のカメラで撮像したウェハ投影線(基準線)からのはんだ投影線のオフセットaを求め、はんだ高さをh=a*sinθ/cos(90°-2θ)から求める。ここで、細線化のために、はんだ投影線とウェハ投影線を同時に同一撮像条件で撮像するのが難しい場合には、それぞれの撮像条件を変えて時差撮像する。撮像条件として、照明装置1の照明条件、投影装置2、撮像装置3の輝度条件等を変えることで、はんだ投影線とウェハ投影線の極細線を個別に得、高精度化する。

請求項（抜粋）：

収束パターン光であるレーザパターン光を、物体面と該物体面上の計測対象物に斜めから投影するレーザ投影段階と、該投影されたレーザパターン光の該物体面からの反射光を直上から撮像する撮像段階と、該撮像した物体面からの反射光と該計測対象物からの反射光の画像認識により、該計測対象物の3次元計測を行う計測方法において、該物体面からの反射光の撮像に適した撮像条件で該レーザ投影段階と該撮像段階と、該物体面上の計測対象物からの反射光の撮像に適した撮像条件で該レーザ投影段階と該撮像段階とを、前記の順序またはその逆の順序で実行し、次に、該計測段階を実行することを特徴とする画像認識による計測方法。

IPC (4件)：

G01B 11/24 ,  G01N 21/88 ,  G06T 7/00 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01B 11/24 E ,  H01L 21/66 P ,  G01N 21/88 645 B ,  G06F 15/62 405 B

Fターム (53件)：

2F065AA24 ,  2F065AA53 ,  2F065AA54 ,  2F065AA58 ,  2F065BB02 ,  2F065CC01 ,  2F065CC19 ,  2F065CC26 ,  2F065FF01 ,  2F065FF07 ,  2F065GG04 ,  2F065GG07 ,  2F065HH02 ,  2F065HH05 ,  2F065HH12 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ26 ,  2F065NN02 ,  2F065NN03 ,  2F065PP23 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ31 ,  2G051AA51 ,  2G051AA65 ,  2G051AB11 ,  2G051AB14 ,  2G051BA10 ,  2G051BB20 ,  2G051CA03 ,  2G051CA04 ,  2G051CB01 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  4M106AA01 ,  4M106AD09 ,  4M106BA05 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  4M106DB04 ,  4M106DB08 ,  4M106DB19 ,  4M106DH60 ,  5B057AA03 ,  5B057BA15 ,  5B057DA07 ,  5B057DB02 ,  5B057DB03 ,  5B057DC02 ,  5B057DC09