特許

J-GLOBAL ID：200903045050360120

堆積膜形成方法および堆積膜形成装置

発明者： 藤岡 靖 ,  岡部 正太郎 ,  酒井 明 ,  芳里 直 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340751
公開番号（公開出願番号）：特開平6-184755
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：

【要約】【目的】 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を、大面積の長尺基板上に良好な特性の堆積膜を作成することができるようにする。【構成】 第1のガスゲート21から第2のガスゲート22へ向う方向に、長尺基板1を一定の速度で連続的に移動させる。第1および第2の赤外線ランプヒーター141,142および冷却パイプ15をそれぞれ作動させることにより、放電室12内において所定の温度分布になるように、移動する帯状の長尺基板1を加熱および冷却する。そして、ガス導入管18から放電室12内に堆積膜の原料ガスを導入し、高周波電源25から放電電極19に高周波電力を供給して、接地された導電性の長尺基板1との間に高周波グロー放電を生起させ、プラズマを発生させる。これにより、放電室12内の原料ガスが分解され、帯状の長尺基板1上に堆積膜が形成される。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法により、グロー放電領域を有する真空容器内で、長尺基板上に堆積膜を連続的に形成する堆積膜形成方法において、前記真空容器内で、前記長尺基板をその長手方向に連続的に移動させ、前記真空容器内の前記グロー放電領域の入口近傍で前記長尺基板を加熱し、前記真空容器内の前記グロー放電領域の出口近傍で前記長尺基板を冷却して、該長尺基板上に前記堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205