特許

J-GLOBAL ID：200903045051240080

パワーMOSトランジスタ

発明者： 小柳 毅
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396119
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198438
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 必要最低限の素子面積で、高サージ耐性および低オン抵抗を実現できるパワーMOSトランジスタを提供する。【解決手段】 ドレイン22が出力端子44に接続された複数のMOSトランジスタ1,2から成る横型パワーMOSトランジスタである。出力端子44に近接するMOSトランジスタ2のみが、ドレイン22に出力端子44から入力されるサージ電流を基板10内に引き抜く拡散層60を備えている。

請求項（抜粋）：

ドレインが出力端子に接続された複数のMOSトランジスタから成る横型パワーMOSトランジスタにおいて、前記MOSトランジスタのうち前記出力端子に近接する位置に配置されるMOSトランジスタは、ドレインに前記出力端子から入力されるサージ電流を基板内に引き抜くサージ電流引き抜き手段を備えることを特徴とするパワーMOSトランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K

Fターム (26件)：

5F038AZ10 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038CA05 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA22 ,  5F040DA23 ,  5F040DB01 ,  5F040EB02 ,  5F040ED09 ,  5F040EF18 ,  5F048AA02 ,  5F048AA05 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048BA07 ,  5F048BA12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC03 ,  5F048BG12 ,  5F048CC08 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18