塗布膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-007986
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217191
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】低分子成分を溶媒に溶解させた液状原料に対して、電子線照射を行っても、絶縁膜をチャージアップさせないこと。【解決手段】所定の加工が施された半導体基板上に、低分子成分を溶媒に溶解させた液状原料を塗布する工程と、前記塗布された液状原料中の溶媒を揮発させ、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を加熱しつつ、該絶縁膜に対して、電子線を照射する改質工程と、前記電子線の照射により前記絶縁膜に帯電する電子を、前記半導体基板及び絶縁膜の外に逃がす工程とを含む。

請求項（抜粋）：

所定の加工が施された半導体基板上に、低分子成分を溶媒に溶解させた液状原料を塗布する工程と、前記半導体基板上に塗布された液状原料中の溶媒を揮発させ、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を加熱しつつ、該絶縁膜に対して、電子線を照射する工程と、前記電子線の照射により前記絶縁膜に帯電する電子を、前記半導体基板及び絶縁膜の外に逃がす工程とを含むことを特徴とする塗布膜形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , B05D 3/06 101 , B05D 5/12 , B05D 7/00 , H01L 21/263 , H01L 21/312 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (8件)：

H01L 21/316 G , B05D 3/06 101 C , B05D 5/12 D , B05D 7/00 H , H01L 21/263 E , H01L 21/312 C , H01L 21/88 S , H01L 21/90 Q

Fターム (23件)：

4D075BB24Z , 4D075BB42Z , 4D075BB47Z , 4D075BB52Z , 4D075CA23 , 4D075DA06 , 4D075DC22 , 4D075EA07 , 4D075EB43 , 5F033HH07 , 5F033MM21 , 5F033QQ54 , 5F033QQ74 , 5F033RR21 , 5F033SS22 , 5F033VV05 , 5F033XX00 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG10 , 5F058AH02

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