特許

J-GLOBAL ID：200903045054737890

膜形成方法

発明者： 江部 明憲 ,  緒方 潔 ,  西山 哲 ,  鞍谷 直人
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130909
公開番号（公開出願番号）：特開平5-320877
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【構成】 真空容器内にて、基体の表面に前記基体の構成原子よりなるイオンを照射した後、前記基体表面に膜構成原子を蒸着又はスパッタリングするとともに、イオン照射を行うことによって前記基体に膜を形成し、その後、膜構成原子からなるカソードにおけるアーク放電によりイオン化された膜構成原子を前記膜上に堆積させて膜を形成する膜形成方法。【効果】 基体表面における膜との濡れ性が改善され、基体と膜との界面に両者の構成原子よりなる混合層が形成されることとなり、両者の熱膨張係数の差や格子定数の差が緩和され、膜内に誘起される内部応力を改善することができる。従って、低温下でも、優れた密着性を有する膜を形成することができる。また、比較的速い形成速度で膜を形成することができるので、膜の生産性を優れたものとすることができる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にて、基体の表面に前記基体の構成原子よりなるイオンを照射した後、前記基体表面に膜構成原子を蒸着又はスパッタリングするとともに、イオン照射を行うことによって前記基体に膜を形成し、その後、膜構成原子からなるカソードにおけるアーク放電によりイオン化された膜構成原子を前記膜上に堆積させて膜を形成することを特徴とする膜形成方法。