特許

J-GLOBAL ID：200903045058295786

低誘電率絶縁膜及びその形成方法、並びに半導体装置

発明者： 中川 秀夫 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-375428
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167266
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 ポーラス膜よりなる低誘電率絶縁膜の機械強度を向上させる。 【解決手段】 シリコンレジン2と、シリコン原子と酸素原子の結合を含み且つ空孔を有する微粒子3と、溶媒4とからなる溶液14を半導体ウェハ12の上に適量滴下した後、該溶液14を広げて薄膜15を形成する。その後、半導体ウェハ12を加熱して薄膜15よりなる低誘電率絶縁膜15Aを形成する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

シリコン原子と酸素原子の結合を含み且つ空孔を有する微粒子と、樹脂と、溶媒とを含む溶液を基板上に塗布して薄膜を形成する工程と、前記基板を加熱することにより低誘電率絶縁膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする低誘電率絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L21/312 ,  H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/312 C ,  H01L21/90 N ,  H01L21/90 S ,  H01L21/90 Q

Fターム (18件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS21 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX17 ,  5F033XX27 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 低誘電率絶縁膜形成用水性分散液、低誘電率絶縁膜および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-112668   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 誘電体および誘電体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-324681   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (5件)

• 分子的多孔性エーロゲルで充填された低誘電率複合積層品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-134400   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 不燃性絶縁組成物およびその成形品と塗布材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-279121   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-359056
  
• 特開平4-359056
  
• 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299684   出願人：触媒化成工業株式会社