特許
J-GLOBAL ID:200903045058796220
全反射減衰を利用したセンサー
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-255111
公開番号(公開出願番号):特開2003-065946
出願日: 2001年08月24日
公開日(公表日): 2003年03月05日
要約:
【要約】【課題】 全反射減衰を利用したセンサーにおいて、S/Nを向上させる。【解決手段】 プリズム1と、その一面に形成された金属膜3と、光ビーム13をプリズム1に対して、該プリズム1と金属膜3との界面1bで全反射条件が得られるように種々の角度で入射させる光学系15と、上記界面1bにおいて全反射した光ビームを検出する光検出手段6,7とを備えた全反射減衰を利用したセンサーにおいて、光検出手段6,7としてアバランシェフォトダイオードを用いる。
請求項(抜粋):
誘電体ブロックと、この誘電体ブロックの一面に形成されて、試料に接触させられる薄膜層と、光ビームを発生させる光源と、前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で全反射条件が得られるように種々の角度で入射させる光学系と、前記界面で全反射した光ビームの強度を測定して、全反射減衰の状態を検知する光検出手段とを備えてなる全反射減衰を利用したセンサーにおいて、前記光検出手段として、自己増倍機能を有する素子を用いたことを特徴とする全反射減衰を利用したセンサー。
IPC (2件):
FI (2件):
G01N 21/27 C
, G01B 11/06 Z
Fターム (44件):
2F065AA30
, 2F065CC31
, 2F065DD04
, 2F065FF42
, 2F065GG06
, 2F065HH03
, 2F065HH12
, 2F065JJ02
, 2F065JJ08
, 2F065JJ18
, 2F065JJ25
, 2F065LL46
, 2F065MM04
, 2F065PP13
, 2F065QQ01
, 2F065QQ03
, 2F065QQ13
, 2F065QQ25
, 2F065QQ42
, 2G059AA01
, 2G059BB04
, 2G059BB12
, 2G059CC16
, 2G059DD12
, 2G059EE02
, 2G059EE05
, 2G059FF04
, 2G059GG01
, 2G059GG04
, 2G059JJ11
, 2G059JJ12
, 2G059JJ17
, 2G059JJ19
, 2G059JJ20
, 2G059JJ26
, 2G059KK01
, 2G059KK02
, 2G059KK03
, 2G059MM01
, 2G059MM03
, 2G059MM09
, 2G059MM11
, 2G059MM12
, 2G059PP04
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