特許
J-GLOBAL ID：200903045065792418
放射線分布検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-329855
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 放射線、特に高線量率の放射線の位置分布をリアルタイムに、かつ、高精度に測定できる放射線分布検出装置を得る。【解決手段】 半導体放射線検出素子3a〜3iをシリコン(Si)、カドミウムテルル(CdTe)、カドミウム亜鉛テルル(CdZnTe)、ヨウ化第二水銀(HgI2)又はガリウムヒ素(GaAs)等の半導体で形成し、放射線が入射した際の各半導体放射線検出素子3a〜3iからのそれぞれの電流が時間的に順に、すなわち所定の時系列で出力端子OUTから出力されるようにした。
請求項（抜粋）：
放射線の位置分布をリアルタイムに検出する放射線分布検出装置において、所定の直流高電圧を生成して出力する高電圧電源部と、該高電圧電源部から高電圧が印加されると放射線の強度に応じた信号を出力する半導体で形成した複数の半導体放射線検出素子で構成される放射線検出部と、該放射線検出部の各半導体放射線検出素子からのそれぞれの信号に対する出力制御を行うスイッチング部と、所定の時系列で上記各半導体放射線検出素子からのそれぞれの信号が出力されるように該スイッチング部の動作制御を行う制御部と、を備えることを特徴とする放射線分布検出装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
2G088EE09
, 2G088EE21
, 2G088FF14
, 2G088FF17
, 2G088GG21
, 2G088JJ04
, 2G088JJ05
, 2G088JJ08
, 2G088JJ09
, 2G088JJ32
, 2G088JJ33
, 2G088JJ37
, 2G088KK01
, 2G088KK07
, 2G088LL15
