特許

J-GLOBAL ID：200903045068880962

高周波スパッタリング装置及びそれを利用した薄膜形成方法

発明者： ジェオン-ミン セオン
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-337633
公開番号（公開出願番号）：特開2000-178730
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ上の薄膜に発生するボンバーディング現象を抑制して、ウェーハ上に蒸着すべき薄膜の膜質を向上する。【解決手段】 真空チャンバー14と該チャンバーの内部に配設され蒸着対象となるターゲット18と該ターゲットの下向側に配設されウェーハWがマウンティングされる台座16と前記チャンバーの内部にて前記ターゲット及び前記台座の周辺に配設された上部シールド20及び下部シールド21と前記チャンバーの内部にガスを供給するガス供給部24と高周波電圧を供給する電源22とを備えた高周波スパッタリング装置10を用い、前記台座の周辺に下部シールド21を電気的に浮遊状態にさせ、前記ターゲットの周辺の上部シールドを接地し、ターゲットのみならず前記台座にも高周波電圧を印加することにより前記台座にセルフバイアス電圧を誘起させ、工程ガスのイオン化によるプラズマ放電発生領域を前記ターゲットの付近に集中させる。

請求項（抜粋）：

真空チャンバーと、該チャンバーの内部上方側に配設され蒸着物質を含んで構成されるターゲットと、前記チャンバー内にて前記ターゲットの下向き側に配設されウェーハが載置される台座と、前記チャンバーの内部にて前記ターゲット及び前記台座の周辺に配設された上部シールド及び下部シールドと、前記チャンバーの内部に工程ガスを供給するガス供給部と、高周波電圧を供給する電源と、を備えた高周波スパッタリング装置を利用して薄膜を形成する方法であって、前記台座の周辺の下部シールドを電気的に浮遊状態とさせ、前記ターゲットの周辺の上部シールドを接地させて前記ターゲット及び前記台座の両方に高周波電圧を印加し、前記ターゲットと前記台座とにセルフバイアス電圧を誘起させ、工程ガスのイオン化によるプラズマ放電領域を前記ターゲットの付近に集中させることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/40 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/40 ,  C23C 14/34 C ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-107064
  
• 特開昭62-107064
  
• 特開昭54-094444
  
• 特開昭63-303067