特許

J-GLOBAL ID：200903045071183750

強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜素子の製造方法、並びに強誘電体薄膜構造及び強誘電体薄膜素子

発明者： 森本 章治 ,  清水 立生 ,  李 効民 ,  白露 幸祐
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所 ,  金沢大学長
代理人 (1件)： 宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261379
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103027
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上において、Pb系ペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜を容易にかつ確実にエピタキシャル成長させ得る強誘電体薄膜の製造方法とこれにより得られる強誘電体薄膜を提供する。【解決手段】 Si基板上に、Tiの一部をAlで置換してなるTiN薄膜を形成し、その上に(Ba,Sr)TiO3 層を形成し、さらにその上にPb系ペロブスカイト型酸化物強誘電体をエピタキシャル成長させる強誘電体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

Si基板上に、導電膜を形成し、該導電膜上に強誘電体薄膜をエピタキシャル成長させる強誘電体薄膜の製造方法において、前記導電膜として、Tiの一部をAlで置換したTiN膜を形成し、該Alで置換されたTiN膜上に(Ba,Sr)TiO3 下地層を形成し、下地層上にPb系ペロブスカイト型の酸化物強誘電体を堆積させることを特徴とする、強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  H01B 3/00 F ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C