特許
J-GLOBAL ID:200903045071300497

混成集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田中 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-278680
公開番号(公開出願番号):特開平5-175417
出願日: 1991年09月30日
公開日(公表日): 1993年07月13日
要約:
【要約】【目的】 配線の寄生容量に原因するスイッチング素子のチャタリング現象を除去して、スイッチング素子のスイッチング損失を低下させることを目的とする。【構成】 導電路La1〜La3、容量Ca1〜Ca2、図示されないパッド等は絶縁金属基板に貼着した銅箔をホトエッチングして形成され、ドライバDVa1、DVa2〜DVc1、DVc2、スイッチング素子SWa1、SWa2〜SWc1、SWc2、ダイオードDa1、D a2〜Dc1、Dc2、トランジスタQa1およびQa2等はチップ形状で前記所定のパッドに固着される。a相出力VaoがGNDになると、容量Ca2に充電された電荷によりトランジスタQa2がオンして、ドライバDVa1の入力の電位をGND電位に強制放電する。また、a相出力Vaoが+Vccになると、容量Ca1に充電された電荷によりトランジスタQa1がンして、ドライバDVa1の入力の電位を+Vccに強制充電する。このため、入力CPa1が”H”レベルのときには、ドライバDVa1の入力の電位はドライバDVa1の閾値以上となり、スイッチング素子のチャタリングが生じない。
請求項(抜粋):
少なくとも直列接続されるスイッチング素子とそれぞれのスイッチング素子の制御電極を制御するドライバとを備える絶縁金属基板を使用する混成集積回路装置において、前記ドライバの入力信号線とドライバの電源にトランジスタの被制御電極を接続し、このトランジスタの制御電極に容量を接続したことを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (3件):
H01L 25/00 ,  H03K 17/16 ,  H05K 1/18

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