特許

J-GLOBAL ID：200903045073688581

半導体基板とその製造方法

発明者： 森下 隆 ,  松井 正宏
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324275
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162088
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 均一、大面積で従来のシリコンLSI製造プロセスとの整合性が良く、なおかつスナップバック耐圧の高いSOI構造の半導体基板を供給する。【解決手段】 シリコン基板上にα-アルミナ、γ-アルミナ、マグネシウムアルマニウム オキサイド、酸化セリウム、フッ化カルシウムの少なくともいずれかの中間層を堆積させた後、その上にシリコン層をエピタキシャル成長させるか、又は、他のシリコン基板を貼り合わせして、その後薄く研磨し、SOI構造の半導体基板を得る。

請求項（抜粋）：

基板としての第一のシリコン基板と、該第一のシリコン基板上に堆積されたα-Al2O3、γ-Al2O3、MgO:Al2O3、CeO2 、CaF2 の少なくともいずれかの中間層と、該中間層上にエピタキシャル成長された第二のシリコン層とを有することを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 D ,  H01L 27/12 B