特許

J-GLOBAL ID：200903045077151191

磁気抵抗効果膜

発明者： 及川 悟 ,  前田 篤志 ,  山野 耕治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060603
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256622
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 MR比が高くかつ飽和磁界の低いスピンバルブ型磁気抵抗効果膜を得る。【解決手段】 第1の強磁性層3、非磁性導電層4、第2の強磁性層5、及び反強磁性層6を積層した構造を有する磁気抵抗効果膜において、第1の強磁性層3及び第2の強磁性層5のうちの少なくともいずれか一方の強磁性層がCoNiFe系合金から形成され、かつその磁歪λS が-3×10-6≦λS ≦3×10-6で表される範囲であることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層、非磁性導電層、第2の強磁性層、及び反強磁性層を積層した構造を有する磁気抵抗効果膜において、前記第1の強磁性層及び前記第2の強磁性層のうちの少なくともいずれか一方の強磁性層がCoNiFe系合金から形成され、かつその磁歪λS が-3×10-6≦λS ≦3×10-6で表される範囲であること特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16