特許

J-GLOBAL ID：200903045078005644

半導体評価装置

発明者： 勝見 栄雄 ,  高松 弘行
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-262517
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076081
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 マイクロ波光伝導減衰法を用いた従来の半導体評価装置では,半導体試料の厚み方向の分解能を得ることが困難であった。【解決手段】 本発明は,例えばパルス幅が1ps程度であって,数THzまでの周波数広がりを有するパルス電磁波の照射と半導体試料からのパルス電磁波の反射波の測定とを繰り返すことによって,ライフタイムの周波数依存性を簡便に得て,半導体試料の厚み方向の分解能を獲得することを図ったものである。

請求項（抜粋）：

半導体試料にパルス光を照射するパルス光照射手段と,パルス電磁波を前記半導体試料の前記パルス光が照射された領域に照射するパルス電磁波照射手段と,前記半導体試料にて反射された前記パルス電磁波の反射波,又は前記半導体試料を透過した前記パルス電磁波の透過波を測定する測定手段とを具備し,前記パルス電磁波照射手段によるパルス電磁波の照射,及び前記測定手段による測定を繰り返し,これにより得られた前記測定手段の測定結果を時間領域から周波数領域に変換して周波数スペクトルの時間的変化を求め,前記周波数スペクトルの時間的変化に基づいて,前記パルス光により前記半導体試料に生成された少数キャリアのライフタイムを求めてなる半導体評価装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/27

FI (4件)：

H01L 21/66 M ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/27 B ,  G01N 21/27 Z

Fターム (35件)：

2G059AA03 ,  2G059BB08 ,  2G059BB16 ,  2G059DD12 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE12 ,  2G059EE17 ,  2G059FF04 ,  2G059GG01 ,  2G059GG08 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ01 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ14 ,  2G059JJ22 ,  2G059LL01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM08 ,  2G059PP04 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106CB11 ,  4M106DH01 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DH39 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ23