特許
J-GLOBAL ID:200903045078628188

薄膜磁気ヘッドおよび磁気記録装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-167331
公開番号(公開出願番号):特開平11-016127
出願日: 1997年06月24日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】【課題】 膜厚が小さくてもセンス電流が漏洩しにくい薄膜を磁気ヘッドにおける磁気ギャップ層内の非磁性絶縁膜とすることにより、高密度記録が可能な磁気ヘッドおよび磁気記録装置を提供する。【解決手段】 薄膜磁気ヘッドの非磁性絶縁膜(5,6)をECRプラズマCVD法により成膜した窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アモルファスカーボンおよびアモルファス窒化ホウ素から選ばれる少なくとも一つの材料で構成する。1,2は磁気シールド層、3は磁気抵抗膜部、4はリード層部、7は磁気ギャップ層である。
請求項(抜粋):
磁気ギャップ層の非磁性絶縁層が、窒化ケイ素(SiN)、酸窒化ケイ素(SiON)、窒化アルミニウム(AlN)、アモルファスカーボン(a-C)およびアモルファス窒化ホウ素(a-BN)から選ばれる少なくとも一つからなる薄膜磁気ヘッド。
IPC (2件):
G11B 5/39 ,  G11B 5/31
FI (2件):
G11B 5/39 ,  G11B 5/31 E

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