特許

J-GLOBAL ID：200903045084278652

波状素子接点コンデンサおよび波状素子接点コンデンサを形成するための方法

発明者： トラング・ティー・ドーン ,  デイビッド・エイ・キャセイ
出願人/特許権者： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260576
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335510
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 キャパシタンスを増大するために波状素子接点コンデンサを有するダイナミック・ランダムアクセスメモリーを提供する。【構成】 波状素子接触コンデンサは、実質的に異るエッチング速度または選択的に一方から他方へ向う湿潤エッチングのいずれかを有する誘電性材料からなる交互の層50、55を蒸着させることによって作成される。層は等方性にエッチングされ、波状の側壁を有する空洞が提供される。拡散多結晶層70は素子ノードコンデンサ極板として機能するように蒸着される。誘電層80の蒸着を行なった後、上側コンデンサ極板を形成するようにその場拡散多結晶層85を蒸着させる。抗して形成されたコンデンサは基板3の接点領域65に自己整合する素子ノードコンデンサ極板を有するという特徴を有する。

請求項（抜粋）：

半導体装置内に少なくとも一つのコンデンサを形成するための方法であって、a)エッチング停止層(40)を形成して予め作成してある構造(21、22)および上記半導体装置の基板(3)を被覆することと、b)エッチング可能な材料による交互の層(50、55)を、相互に接触するように形成して、接触を有する上記層が実質的に異るエッチング率を有するようになすことと、c)上記基板(3)の接点領域(65)を被覆する上記エッチング停止層(40)の少なくとも一部を露光するために上記交互の層(50、55)内に開口(60)を設けることと、d)上記交互の層(50、55)のエッチングにおいて、速いエッチング速度を有する上記交互の層(50、55)が遅いエッチング速度を有する上記交互の層(50、55)より実質的に多く消費されるようになすことと、e)上記接点領域(30)を露光するために上記エッチング停止層(40)を除去することと、f)上記交互の層(50、55)と上記接点領域(65)を接続するための第1の導電層(70)を設け、上記第1の導電層(70)が第1のコンデンサ極板を形成するようになすことと、g)上記第1の導電層(70)を接続するための誘電層(80)を形成することと、h)上記誘電層(80)を接続するための第2の導電層(85)を設け、上記第2の誘電層(85)が第2のコンデンサ極板を形成するようになすことよりなることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04