特許
J-GLOBAL ID：200903045088952269
カルコパイライト構造半導体薄膜の製造装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058108
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330232
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】3層構造からなり、膜全体の組成が化学量論比組成またはIII族元素が過剰組成のI-III-VI2型カルコパイライト構造半導体薄膜を形成することにより、組成制御が容易かつ成膜の再現性に優れたものとする。【解決手段】真空容器1内に、基板ホルダー2とヒータ3を設け、ガラス基板4上にCu(In,Ga)Se2薄膜5を堆積する。熱電対6を用いて基板温度を計測する。真空容器内部にCu蒸着源10、In蒸着源11、Ga蒸着源12、Se蒸着源13を設け、第一層と第三層はIn、Ga、Seの各元素を蒸発させ、第二層はCu、Seの各蒸着源を蒸発させてCu(In,Ga)Se2薄膜を形成する。第二層を蒸着する際、膜組成がCu過剰組成となるまで蒸着し、第三層を蒸着する際最終的な原子数比がCu/(In+Ga)=0.8〜1.0になるまで再度をIn、Ga、Seの各元素を蒸着する。
請求項（抜粋）：
一定の熱量を放出し基板を加熱する発熱体と、加熱された基板温度を計測する手段を備えた装置を用いたI-III-VI2 型カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法であって、加熱された基板上に下記(A)〜(E)から選ばれる少なくとも一つの化合物からなる第一層薄膜を堆積し、(A)III族及びVI族元素(B)III-VI元素化合物(C)化学量論(stoichiometry)比組成のI族、III族元素及びVI族元素(D)化学量論(stoichiometry)比組成のI-III-VI2型元素化合物(E)III族元素が過剰なI族、III族及びVI族の組成元素(F)III族元素が過剰なI-III-VI2型元素化合物前記第一層上に下記(a)〜(f)から選ばれる少なくとも一つの化合物からなる第二層薄膜を堆積し、膜全体の組成がI族元素が過剰組成のI-III-VI2型カルコパイライト構造半導体薄膜を形成し、(a)I族及びVI族元素(b)I-VI元素化合物(c)化学量論(stoichiometry)比組成のI族、III族元素及びVI族元素(d)化学量論(stoichiometry)比組成のI-III-VI2型元素化合物(e)I族元素が過剰なI族、III族及びVI族の組成元素(f)I族元素が過剰なI-III-VI2型元素化合物その後、再度前記(A)〜(E)から選ばれる少なくとも一つの化合物からなる第三層薄膜を堆積し、膜全体の組成が化学量論比組成またはIII族元素が過剰組成のI-III-VI2型カルコパイライト構造半導体薄膜を形成することを特徴とするI-III-VI2型カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, C23C 14/06
, C23C 14/24
, H01L 21/363
, H01L 31/04
H01L 21/203 Z
, C23C 14/06 M
, C23C 14/24 K
, H01L 21/363
, H01L 31/04 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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