特許

J-GLOBAL ID：200903045100122030

半導体装置および配線修正方法

発明者： 嶋瀬 朗 ,  東 淳三 ,  濱村 有一 ,  水村 通伸 ,  西村 規正
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145412
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340334
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】比較的短い時間で配線修正を確実に行うことが可能な半導体装置及び半導体装置の修正方法を提供する。【解決手段】半導体装置の上層の電源用配線層に、この電源用配線層の下層の配線層の配線に対応して、複数の窓を形成した。また、半導体装置に集束イオンビームを照射して電源用配線層の窓部の内側にこの窓部の下層の配線層の配線部を露出させ、窓部の近傍に材料ガスを供給しながら集束イオンビームを照射して露出させた配線に接続する配線膜を表面を被覆する絶縁膜上に形成する半導体装置の修正方法とした。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁層や配線層を積層しさらにそれらの上層に電源用配線層を形成した半導体装置において、前記電源用配線層に、該電源用配線層の下層の前記配線層の配線に対応して、複数の窓を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/82 L ,  H01L 27/04 D