静電誘導型半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128532
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321625
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】コンタクト窓を形成するためのマスクの位置合わせに高い精度を必要としない製造方法を提供する。【構成】半導体基板1の第1の主面上に絶縁膜11を形成し、第1及び第2の拡散窓4,7をレジストマスク121 により絶縁膜11に形成する。レジストマスク122 を用い、第2の拡散窓7を通して半導体基板1内にP型不純物をイオン注入してP型のゲート領域5を形成する。この時、同時に第1及び第2の拡散窓4,7の内側の半導体基板1の第1主面上に絶縁膜11よりも薄い熱酸化膜13を形成する。ソース電極用の第1のコンタクト窓9と、ゲート電極用の第2のコンタクト窓10とをマスク14を用いてエッチングにより形成する。マスク14の窓部14aの幅を第1の拡散窓4の幅よりも広くしておくことができ、正確な位置合わせが不要となる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の第1の主面に第1導電型のソース領域と、このソース領域を囲んでソース領域への電流を制御する第二導電型のゲート領域と、これらソース領域及びゲート領域の略全面を覆う絶縁膜とを形成し、半導体基板の第1の主面と背向する第2の主面に第一導電型のドレイン領域を形成するとともに、ゲート領域を跨いで半導体基板の第1主面の略全面を覆うソース電極とソース領域との接続のための第1のコンタクト窓と、ゲート領域の少なくとも一部と重なるゲート電極とゲート領域との接続のための第2のコンタクト窓とを絶縁膜に形成して成る静電誘導型半導体装置の製造方法であって、ソース領域及びゲート領域を拡散するための熱処理時に、ソース領域に第一導電型不純物を拡散するための第1の拡散窓及びゲート領域に第二導電型不純物を拡散するための第2の拡散窓に少なくとも絶縁膜よりも薄い酸化膜を形成する工程と、この酸化膜に第1及び第2のコンタクト窓を形成するためのマスクを施す工程と、このマスクを施した状態で第1及び第2のコンタクト窓の部分の酸化膜を除去する工程とを含むことを特徴とする静電誘導型半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/80 , H01L 29/74 , H01L 21/332

FI (3件)：

H01L 29/80 S , H01L 29/74 M , H01L 29/74 301

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