半導体回路の配線電気特性評価方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087934
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289620
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】RSFを用いたばらつき解析手法を、配線構造の電気特性評価に適用する際に、評価対象となる配線構造の単位構成に依存せず、またデータ取得点数を増加させる事無くRSFを作成し、電気特性の予測精度の改善方法を提案する。【解決手段】与えられた配線構造の電気特性を、構造の形状パラメータ及び物理パラメータを入力変数とする応答曲面関数を用いて評価する際、入力変数の低次項で構成した応答曲面関数が、電気特性の予測精度の許容範囲内でない場合、誤差入力変数の高次項を選択的に付加する。入力変数の1つ以上のパラメータに条件を与えて前記応答曲面関数に代入し、電気特性のばらつきを評価する。

請求項（抜粋）：

与えられた配線構造の電気特性を、目標とする特性値に対して、配線構造の形状パラメータ及び物理パラメータを入力変数とする応答曲面関数を用いて評価する方法であって、前記応答曲面関数を、前記入力変数の低次項で構成する基底関数による電気特性予測の誤差が許容範囲を外れる場合には、前記入力変数の高次項を選択的に付加して応答曲面関数を構成する過程と、前記入力変数の中の1つ以上の条件にばらつきを与えて前記応答曲面関数に代入することにより、配線構造の電気特性のばらつきを評価する過程とを含む半導体回路の配線電気特性評価方法。

IPC (9件)：

H01L 21/3205 , G01R 27/02 , G01R 27/26 , G01R 31/28 , G06F 17/50 666 , G06F 19/00 110 , H01L 21/00 , H01L 21/66 , H01L 21/82

FI (9件)：

G01R 27/02 R , G01R 27/26 C , G06F 17/50 666 L , G06F 19/00 110 , H01L 21/00 , H01L 21/66 Z , H01L 21/88 Z , G01R 31/28 F , H01L 21/82 Z

Fターム (27件)：

2G028BB11 , 2G028BF10 , 2G028CG02 , 2G028CG07 , 2G028FK10 , 2G132AA20 , 2G132AC09 , 2G132AC11 , 2G132AD03 , 2G132AL11 , 4M106BA20 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 4M106DJ40 , 5B046AA08 , 5B046JA01 , 5B046JA04 , 5F033UU07 , 5F033XX37 , 5F064BB31 , 5F064EE09 , 5F064EE14 , 5F064EE19 , 5F064EE32 , 5F064EE42 , 5F064EE43 , 5F064HH09

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