半導体素子収納用パッケージ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256883
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068951
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率よく放散することができず、半導体素子に熱破壊が発生する。【解決手段】タングステンが40乃至70重量%、銅が30乃至60重量%から成る中間層1cの上下両面にタングステンが25乃至35重量%、銅が65乃至75重量%から成る上下層1b、1dを配した3層構造を有する基体1と、Li2O3を5〜30重量%含有する屈服点が40〜800°Cのリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも1種から成るフィラー成分を20〜80体積%の割合で含む形成体を焼成し、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも1種の結晶相を含有する焼結体から成る枠状絶縁体2と、蓋体3とから成る半導体素子収納用パッケージ。

請求項（抜粋）：

上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上に半導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、半導体素子の各電極が接続される配線層を有する枠状絶縁体と、前記枠状絶縁体上に取着され、枠状絶縁体の内側を気密に封止する蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記枠状絶縁体はLi2O3を5〜30重量%含有する屈服点が40〜800°Cのリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも1種から成るフィラー成分を20〜80体積%の割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも1種の結晶相を含有する焼結体から成り、かつ前記基体はタングステンと銅とから成り、タングステンが40乃至70重量%、銅が30乃至60重量%から成る中間層の上下両面にタングステンが25乃至35重量%、銅が65乃至75重量%から成る上下層を配した3層構造を有していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/373 , H01L 23/06 , H01L 23/08

FI (3件)：

H01L 23/06 B , H01L 23/08 B , H01L 23/36 M

Fターム (5件)：

5F036AA01 , 5F036BB08 , 5F036BC06 , 5F036BD01 , 5F036BD11

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