特許

J-GLOBAL ID：200903045114345805

薄膜形成装置及び薄膜成長方法

発明者： 浅井 孝祐 ,  片浜 久
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260237
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112135
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【構成】エピタキシャル成長装置10に応力測定装置20が添設されている薄膜形成装置。【効果】内部応力を測定しながらエピタキシャル成長をさせることができ、形成される薄膜に生ずる内部応力を制御することができる。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長装置に応力測定装置が添設されていることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/00 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  G01L 1/00 ,  H01L 21/203