特許
J-GLOBAL ID：200903045114407266
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-019104
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214322
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 動作時は低くてばらつきの小さなしきい値に制御し、待機時は高いしきい値に切り替えることを可能にする。【解決手段】 半導体基板の基板バイアスに相当する物理量を検出し、この検出値が、n(≧2)個の第1乃至第nの設定値によって分けられた領域のうちのどの領域に属するかによって決定されるn個の第1乃至第nの出力信号を出力する検出回路2と、動作モードか待機モードかを示す制御信号と前記検出回路からの第1乃至第nの出力信号とに基づいて駆動信号を出力する制御回路4と、前記制御回路からの駆動信号に基づいて作動し、前記半導体基板から電荷を汲み出すことにより前記基板バイアスを深くする基板電位発生回路6と、前記制御回路からの駆動信号に基づいて作動し、前記半導体基板へ電荷を注入することにより前記基板バイアスを浅くする基板電荷注入回路8と、を備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の基板バイアスに相当する物理量を検出し、この検出値が、n(≧2)個の第1乃至第nの設定値によって分けられた領域のうちのどの領域に属するかによって決定されるn個の第1乃至第nの出力信号を出力する検出回路と、動作モードか待機モードかを示す制御信号と前記検出回路からの第1乃至第nの出力信号とに基づいて駆動信号を出力する制御回路と、前記制御回路からの駆動信号に基づいて作動し、前記半導体基板から電荷を汲み出すことにより前記基板バイアスを深くする基板電位発生回路と、前記制御回路からの駆動信号に基づいて作動し、前記半導体基板へ電荷を注入することにより前記基板バイアスを浅くする基板電荷注入回路と、を備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 19/094 D
, H03K 19/00 A
