特許

J-GLOBAL ID：200903045118127110

半導体装置の故障解析方法

発明者： 山下 洋
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278139
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121504
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【構成】 レーザ光源2を有する光学顕微鏡1によって半導体装置8の故障箇所を観察するとともに、光学顕微鏡1の座標上における故障箇所の座標位置を解析装置に記憶し、その後半導体装置8の故障箇所から適当距離隔てた位置にレーザビームを照射することにより半導体基板まで達する穴をアライメントとして形成するとともに、光学顕微鏡1の座標上におけるアライメントの座標位置を解析装置に記憶し、アライメントに対する故障箇所の相対座標位置を解析装置から後工程の観察装置もしくは分析装置に転送し、観察装置もしくは分析装置において半導体装置の故障箇所の位置決めを前記相対座標位置に基づいて行う。

請求項（抜粋）：

レーザ光源を有する光学顕微鏡によって半導体装置の故障箇所を観察するとともに、光学顕微鏡の座標上における故障箇所の座標位置を解析装置に記憶し、その後半導体装置の故障箇所から適当距離隔てた位置にレーザビームを照射することにより半導体基板まで達する穴をアライメントとして形成するとともに、光学顕微鏡の座標上におけるアライメントの座標位置を解析装置に記憶し、アライメントに対する故障箇所の相対座標位置を解析装置から後工程の観察装置もしくは分析装置に転送し、観察装置もしくは分析装置において半導体装置の故障箇所の位置決めを前記相対座標位置に基づいて行うことを特徴とする半導体装置の故障解析方法。