特許

J-GLOBAL ID：200903045121018496

低損失フェライト

発明者： 高橋 公雄 ,  佐藤 ひろ子 ,  高橋 芳美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-137022
公開番号（公開出願番号）：特開平8-002963
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：

【要約】【目的】 更なる低損失化を図り、高周波対応、高磁束密度対応の低損失フェライトを提供する。【構成】 酸化鉄、酸化亜鉛及び酸化マンガンを主成分とする低損失フェライトにおいて、一般的な製造工程における本焼成後に、該焼成時の焼成温度よりも20〜50°C低い温度でHIP処理を施す。このHIP処理後に得られたフェライト材料の密度は5.05〜5.10g/cm3 であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

酸化鉄、酸化亜鉛及び酸化マンガンを主成分とする低損失フェライトにおいて、焼成後に、該焼成時の焼成温度より20〜50°C低い温度で熱間静水圧プレス処理が施されることを特徴とする低損失フェライト。

IPC (3件)：

C04B 35/38 ,  C01G 49/00 ,  H01F 1/34

FI (2件)：

C04B 35/38 Z ,  H01F 1/34 B