特許
J-GLOBAL ID：200903045125610845
分子線エピタキシー装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077136
公開番号（公開出願番号）：特開平6-087688
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 長期間、高品質な超格子を作成することが可能な分子線エピタキシー装置を提供すること。【構成】 高真空に排気された真空室1内に複数個の蒸発源2を配置し、各出口近傍にシャッタ9を取り付け、ベローズ式回転導入端子11を介して駆動する。また中心軸部に間欠シャッタ20を取り付け、マグネット式回転導入端子23を介しモータ24で駆動する。作動時、蒸発源3により加熱蒸発された金属中、必要なシャッタ9を開き、間欠シャッタ20を等速回転させ、加熱された基板8上に長期間、高品質な超格子を作成させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
真空室内に複数個の蒸発源を備え、これらの蒸発源から分子線を発生させ、該室内に配置され加熱された基板上に、それぞれの材料のもつ付着係数の違いを利用してエピタキシャル成長させるようにした分子線エピタキシー装置において、上記蒸発源と基板との間に間欠シャッタを取り付けたことを特徴とする分子線エピタキシー装置。
IPC (3件)：
C30B 23/08
, C23C 14/24
, H01L 21/203
