特許

J-GLOBAL ID：200903045134230842

窒化物半導体基板の製造方法

発明者： 石田 昌宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-387502
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293699
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】 クラック等を発生させることなく、さらに、欠陥密度が小さく且つ生産性に優れた窒化物半基板を確実に得られるようにする。【解決手段】 サファイアからなる母材基板11の主面に対して選択的にエッチングを行なって、母材基板11の主面に凹凸状領域20を形成する。続いて、母材基板11の凹凸状領域20の上に該凹凸状領域20の凹状溝11aを埋めると共にその上面が平坦となるように、窒化ガリウムからなる半導体層13を成長する。続いて、半導体層13における母材基板11の凸部領域11bとの界面にレーザ光を照射して、半導体層13を母材基板11から剥離することにより、半導体層13から窒化物半導体基板を形成する。

請求項（抜粋）：

前記母材基板の主面に凹凸状領域を選択的に形成する第1の工程と、前記母材基板における前記凹凸状領域の上に該凹凸状領域の凹部を埋めると共にその上面が平坦となるように、窒化物からなる半導体層を成長する第2の工程と、前記半導体層における前記母材基板との界面にレーザ光を照射して、前記半導体層を前記母材基板から剥離することにより、前記半導体層から半導体基板を形成する第3の工程とを備えていることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Fターム (26件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045HA18