特許
J-GLOBAL ID：200903045136087206
薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-106033
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：
【要約】【目的】良好な膜構造を有するカーボン薄膜やシリコン薄膜を、耐熱性の低い基板に対しても密着性良く形成できる薄膜形成装置を提供する。【構成】本装置は、薄膜形成材料及び水素ガスが導入される成膜用真空槽1と、この真空槽内に配備され基板100を保持する基板ホルダー13と、基板13を加熱する手段13’と、真空槽内に薄膜形成材料を供給する手段10,20と、基板近傍に水素原子を供給する手段5,14,17とを有し、基板近傍において、水素原子を高濃度に供給しながら成膜が行なえるような装置構成及び手段がとられたことを特徴とする。【効果】基板表面近傍に水素原子を高濃度に供給することによって、基板表面で材料物質の分解反応を促進することができ、良好な膜構造を有するカーボン薄膜、シリコン薄膜の低温形成が容易となる。
請求項（抜粋）：
カーボン薄膜もしくはシリコン薄膜形成用の薄膜形成装置であって、薄膜形成材料及び水素ガスが導入される成膜用真空槽と、上記真空槽内に配備され被薄膜形成基板を保持する基板ホルダーと、被薄膜形成基板を加熱する手段と、上記真空槽内に薄膜形成材料を供給する手段とを有し、被薄膜形成基板近傍において、水素原子を高濃度に供給しながら成膜が行なえるような装置構成及び手段がとられたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (4件)：
C23C 14/32
, C23C 14/06
, C23C 14/14
, C23C 16/44
