特許

J-GLOBAL ID：200903045136683712

窓型半導体レーザ素子

発明者： 瀧口 治久 ,  矢野 盛規 ,  猪口 和彦 ,  工藤 裕章 ,  中西 千登勢 ,  奥村 敏之 ,  菅原 聰
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227378
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067837
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 窓型半導体レーザ素子において,素子内部の活性領域と窓部との導波モードを制御性よく一致させると共に,垂直・水平の両方向に安定な導波路を形成する。【構成】 半導体基板1上に活性層5をクラッド層4および6で挟んだダブルヘテロ構造が形成されている。活性層5を含む活性領域は埋め込み層としての窓部導波層9により素子内部に埋め込まれている。活性領域の両端面には窓部導波層9を複素屈折率の実数部分の小さい(禁制帯幅の大きい)窓部クラッド層2および10で挟んだリアルガイド・スラブ型導波路構造が設けられている。さらに,この窓部にはリッジ導波路が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造が形成され,活性層を含む活性領域が活性層よりも禁制帯幅の大きい埋め込み層により素子内部に埋め込まれ,この埋め込み層が活性領域の両端面に位置する窓部を構成している窓型半導体レーザ素子であって,この窓部が禁制帯幅の異なる複数の半導体層からなる導波路構造を有する,窓型半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-307778
  
• 特開昭60-017980
  
• 特開昭64-061086
  
• 特開平2-244687