特許

J-GLOBAL ID：200903045138457132

発光装置

発明者： 藤本 悦子 ,  村上 智史 ,  犬飼 和隆
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223863
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141168
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 駆動回路には、高い駆動能力(オン電流)と信頼性を有するTFT、画素部には、オフ電流が低減されるようなTFTを備えた発光装置を作製することを目的とする。【解決手段】 TFTの作製において、LDD領域を有するTFTを形成した後で、ゲート電極の一部をエッチングすることにより、GOLD領域を有するTFTを形成する。このようにして、同一基板上に駆動回路および画素部にそれぞれ要求された機能を有するTFTを形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上の画素部にスイッチング用TFT、電流制御用TFTおよびEL素子を有し、前記スイッチング用TFTの不純物領域は、前記電流制御用TFTのゲート電極に電気的に接続され、前記電流制御用TFTの不純物領域は、前記EL素子に電気的に接続され、前記電流制御用TFTのゲート電極は、ゲート絶縁膜を介して、前記電流制御用TFTの不純物領域と重ならない位置にあることを特徴とする発光装置。

IPC (6件)：

H05B 33/08 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14

FI (7件)：

H05B 33/08 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 612 B

Fターム (114件)：

3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007BB05 ,  3K007BB07 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007GA04 ,  5C094AA13 ,  5C094AA22 ,  5C094AA23 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094CA25 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GA10 ,  5C094GB10 ,  5C094HA10 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• アクティブマトリックス有機発光ダイオード(AMOLED)の表示ピクセル構造とそのためのデータロード/発光回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-102736   出願人：サーノフコーポレイション
• トップゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-111175   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-370541   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• エッチング方法、薄膜トランジスタマトリックス基板、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-218063   出願人：富士通株式会社