配線の作製方法及び半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-235723
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101552
出願日： 2004年08月13日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】本発明は、上層と下層のパターンを接続するに際し、フォトリソグラフィ工程が不必要な配線の作製方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。【解決手段】本発明の配線の作製方法は、第1のパターン上に導電性材料を含む組成物を局所的に吐出してピラーとして機能する導電体を形成するステップと、前記導電体が覆われるように絶縁体を形成するステップと、前記導電体の一部が露出するように前記絶縁体をエッチングするステップと、露出した前記導電体上に第2のパターンを形成するステップとを有することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のパターン上に、導電性材料を含む組成物を局所的に吐出して、ピラーとして機能する導電体を形成し、前記導電体が覆われるように、絶縁体を形成し、前記導電体の一部が露出するように、前記絶縁体をエッチングし、露出した前記導電体上に、第2のパターンを形成することを特徴とする配線の作製方法。

IPC (7件)：

H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05K3/00 , H05K3/10 , H05K3/40

FI (8件)：

H01L21/90 A , H01L21/288 Z , H05K3/00 K , H05K3/10 D , H05K3/40 K , H01L29/78 612C , H01L29/78 612D , H01L29/78 627A

Fターム (141件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH09 , 4M104HH13 , 4M104HH16 , 5E317AA21 , 5E317BB12 , 5E317BB13 , 5E317BB14 , 5E317CC17 , 5E317GG16 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB25 , 5E343BB59 , 5E343BB72 , 5E343DD12 , 5E343FF05 , 5E343GG11 , 5F033GG01 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ27 , 5F033JJ29 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033JJ38 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK05 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033NN19 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP26 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ85 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS08 , 5F033SS22 , 5F033VV15 , 5F033XX09 , 5F033XX14 , 5F033XX33 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB06 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE42 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN73 , 5F110QQ06 , 5F110QQ10 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

パターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-078406 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-021738 出願人：株式会社東芝
電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、電子機器、及びパターニング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-389675 出願人：セイコーエプソン株式会社
液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-293212 出願人：株式会社日立製作所

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