特許
J-GLOBAL ID：200903045150016800
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015238
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226073
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 アドレス信号増設によりメモリモジュールの記憶容量を増加しようとする場合、モジュールに特別な制御回路を取り付けること無しにこれを実現し、従来のDRAMと比較してより多様なアドレス構成のメモリモジュールに対応可能なDRAMを得ることを目的とする。【構成】 DRAMのアドレスのうち、特定のアドレスを入力するとデータ入出力端子を高インピーダンス状態にして見かけ上いずれのメモリセルも選択されないようにするアドレス入力条件設定手段をDRAMに設け、データ入出力端子を高インピーダンス状態にさせるアドレス入力条件が異なる複数のDRAMを組み合わせてメモリモジュールを構成するようにした。【効果】 特別な制御回路をつけること無しに、データ入出力線のビット数は同じでもアドレス幅の異なる多種類のメモリモジュールの構成が、基本的に1種類のDRAMで可能になる。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルからなるメモリアレイと、入力されたアドレス信号に対応されたメモリセルを選択する選択回路と、選択されたメモリセルの保持データを増幅しデータ出力端子へ出力するデータ出力回路と、特定のアドレス信号が入力されるとデータ出力端子を高インピーダンス状態にさせるためのアドレス入力条件設定手段とを備えてなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/401
, G06F 12/06 515
