特許

J-GLOBAL ID：200903045158039540

半導体力学量センサの製造方法

発明者： 竹内 幸裕 ,  奈良 健一 ,  後藤 吉孝
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139643
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335705
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】犠牲層エッチングにより梁構造の可動部を形成する際において可動部の基板への固着や破損を防止することができる半導体力学量センサの製造方法を提供する。【構成】シリコン基板1の表面にシリコン酸化膜20を形成するとともに突起形成領域での酸化膜20を除去して開口部を形成し、酸化膜20の上にシリコン酸化膜24を成膜し、酸化膜24の上にポリシリコン薄膜26を成膜するとともに、薄膜26における突起形成用領域の一部領域を除去して開口部17を形成し、シリコン酸化膜20,24をウェットエッチングにて除去する。突起には開口部17の面積分だけ占有面積が小さくなっている。エッチング液と置換する液が可動部と基板1との間に入るとともに乾燥の際に突起と基板1との間の液滴による付着力が弱くなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置され、力学量の作用により変位する、薄膜よりなる梁構造の可動部とを備えた半導体力学量センサの製造方法であって、半導体基板の表面に、突起形成用の凹部を有する犠牲層を形成する第1工程と、前記犠牲層の上に可動部形成用薄膜を成膜するとともに、可動部形成用薄膜における突起形成用領域の一部領域を除去して開口部を形成する第2工程と、前記可動部形成用薄膜の下の犠牲層をウェットエッチングにて除去する第3工程とを備えたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/18 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 29/84 A ,  H01L 29/84 B ,  G01L 1/18 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/306 B